El 17 de noviembre de 1947 en Estados Unidos, tres físicos, John Bardeen, Walter Houser Brattain y William Shockley descubrieron el transistor, un elemento fundamental para la revolución de la electrónica el siglo 20. Incluso recibieron un premio Nobel por eso.
La construcción de los primeros transistores respondió a una necesidad técnica que era realizar llamadas telefónicas a larga distancia. Es por eso que los descubridores de esta nueva tecnología trabajaban para la American Telephone and Telegraph Corporation.
Aunque el invento oficial del transistor se produjo en 1947 tuvo varios antecedentes, por ejemplo en 1906 el inventor Lee De Forest desarrolló un triodo en un tubo de vacío y colocando este invento a lo largo de la línea telefónica se podía amplificar la señal para hacer llamados a larga distancia y podía usarse como rectificador.
La empresa AT&T compró la patente de De Forest y mejoró el tubo pero los tubos de vacíos producían mucho calor, necesitaban mucha energía y debían ser reemplazados continuamente.
Era necesario otro método para amplificar la señal y buscando respuestas la compañía creo en 1926 un centro de investigación conocido como laboratorios telefónicos Bell, responsable de descubrimientos como el lenguaje de programación C, la astronomía radial y el transistor.
Finalizada la segunda guerra mundial, el director del laboratorio buscó un grupo de científicos que dieran con la solución que causaba el tubo de vació y tenía algo en mente para reemplazarlo, que eran los semi conductores.
Estos eran un elemento que en determinadas condiciones puede conducir la electricidad, precisamente a temperatura alta ya que sin eso deja de producir electrones.
El director del nuevo equipo de investigadores fue William Bradford Shockley, un visionario capaz de ver la importancia de los transistores antes que nadie. También estaba Walter Houser Brattain, un físico experimental capaz de construir y reparar cualquier cosa, y John Bardeen, capaz de ir más allá en la comprensión de los fenómenos complejos.
En 1947, entre el 17 de noviembre y el 23 de diciembre, realizaron infinidad de pruebas hasta lograr el primer transistor de contacto puntual, hecho con dos púas de metal que se presionan sobre la superficie de material semiconductor, en posiciones muy próximas entre sí.